重磅消息：中国先进光刻机正式问世，打破技术壁垒！

据观察者网9月15日报道，9月9日，工信部发布了《首台重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》，在集成电路生产装备名单中出现了一款氟化氩光刻机，以及一款氟化氪光刻机。其中套刻等于以及少于8纳米的氟化氩光刻机，属于深紫外光刻机的一种。资料显示，该光刻机的光源波长是193纳米，分辨率小于或等于65nm，主要应用于制造7纳米及以上制程节点的芯片，这意味着中国可能已经研发出可以生产8纳米及以下芯片的深紫外光刻机。

在工信部发布这则公告之前，中国芯片设备85%靠进口，尤其是在8纳米芯片这个领域，我们基本上都需要依靠进口。不过，随着氟化氩光刻机的问世，或许有望结束这一现状，而这一技术的突破，对于提升中国芯片制造能力也具有非常重要的意义。深紫外光刻机技术的的出现，代表的是中国在半导体领域新的突破，这项技术不仅展现出中国自主创新的能力，同时也足以说明我们在应对西方社会的技术封锁时，丝毫没有退缩。

在美国限制对华芯片出口的背景下，近年来中国芯片产业面临着非常大的考验。尤其是近段以来，美国极力施压盟友收紧对华芯片出口，包括荷兰、日本、韩国等都是被约束的对象。尽管荷兰政府不太愿意配合美国的对华政策，但考虑到种种限制因素，荷方还是在9月6日宣布，扩大光刻机出口管制范围到浸没式深紫外光刻设备。这项限制措施包括，要求阿斯麦出口相关光刻系统时，需要先向荷兰政府申请许可证，并且连在维修一些光刻机设备时也需要申请许可证，可见美方对中国芯片产业的围堵已经延伸到各个方面。

不过，阿斯麦公司在配合美方芯片政策的同时，也提出了自己的担忧，他们认为如果不能从海外市场获得芯片供给，那么中方就会自己干，而且阿斯麦认为中方已经开始进行具体规划和布局，实现真正的自给自足。阿斯麦作出的预判是非常准确的，在进口面临极大不确定性的情况下，我们必定会着眼于自研光刻机。靠自主创新实现技术上的突破，拥有制造国产芯片的能力，才能真正打破西方的技术封锁，让国内半导体产业发展实现质的飞跃。

毫无疑问的是，未来中方在光刻机领域的突破不止于此，美西方在半导体上对中方的打压制裁，会更加激发我们的自我创新能力。当下，中方将更多精力放在技术研究上，这一趋势在未来会更加明显。虽然说技术与西方还有一定的差距，但现在我们面正在逐步突破，让芯片行业对中国技术更加有信心，这也是非常关键的一步。

与此同时，我们也提醒美西方国家，在今年前7个月，中国企业进口了价值约260亿美元的芯片制造设备，芯片进口金额高达约2120亿美元。这些数据足以说明中国对芯片有庞大的需求量，但未来这些国家可能会逐步失去来自中国的订单。现在中方在光刻机技术上有新的突破，可以预见的是，这场所谓的“芯片战”美西方国家不会赢。