编者按：美国初创企业Inpria发明金属氧化物抗蚀剂（MOR）技术的分辨率达到7纳米，接近2040年代0.2纳米芯片的精度要求。

前一篇我们详细介绍了价值5亿美金的2纳米EUV光刻胶--金属氧化物抗蚀剂（MOR）技术。MOR技术是由美国初创企业Inpria发明的，目前该企业属于日本公司JSR。今天我们讨论一下为何这项技术值5亿美金。

东京电子的测试指标：创纪录的分辨率！

上一篇我们提到，MOR光刻胶在美国劳伦斯伯克利国家实验室的MET-5 EUV曝光机下测试的曝光分辨率是8纳米。

而最近东京电子公布了MOR光刻胶测试，创造了创纪录的最小金属间距14纳米，也就是说，MOR光刻胶的线分辨率已经可以达到7纳米！

东京电子TEL的MOR光刻胶分辨率测试

7纳米线分辨率已经接近0.2纳米芯片的要求！

下图显示了不同节点（Node）的芯片所对应的最小金属间距（Minimum metal Pitch），比如对2纳米芯片，它的最小金属间距是20纳米；记住我们所说的光刻胶分辨率是最小金属间距的一半，所以2纳米芯片对应的光刻胶分辨率要求是10纳米。

目前7纳米芯片使用的CAR光刻胶支持的最小金属间距大约是22纳米；所以我们简单的把能支持最小金属间距小于20纳米的光刻胶叫做“2纳米EUV光刻胶”，以方便大家理解光刻胶的技术代差。

我们之前讨论的0.2纳米EUV光刻机（0.75NA）支持的最小金属间距是10-12纳米，也就是分辨率是5-6纳米。

所以目前东京电子能够达到7纳米分辨率，实际上已经接近0.2纳米芯片的水平！而0.2纳米芯片的部署大约在2040年代。

为什么7纳米分辨率是一个重要的里程碑？

过去几年，“随机缺陷”一直是EUV光刻的重大挑战。随机缺陷通常会导致下图显示的各种图形缺陷。而分辨率越高，随机缺陷带来的缺陷密度越高。这就是为什么在15纳米分辨率以下，EUV光刻胶的开发难度越来越大的原因之一。

我们从东京电子展示的结果来看，MOR光刻胶达到7纳米分辨率，已经非常完美的解决了“随机缺陷”这一重大的技术挑战。

为了让大家更直观的理解这一惊人的成就，我们把7纳米、2纳米、0.2纳米三代芯片所对应的分辨条纹做了一个对比图。

MOR光刻胶是一个颠覆性的技术

我们再用目前已经量产的10纳米、7纳米、5纳米和3纳米芯片和与未来的2纳米芯片来做一个对比：可以看到它们的金属间距是从48纳米、36纳米、28纳米、21纳米降低到18纳米。

而更早期的14纳米芯片和28纳米芯片的最小金属间距是64和90纳米，对应的分辨率是32纳米和45纳米。由此对比，我们可以了解它和2纳米光刻胶分辨率（7纳米）的差距--它就是MOR光刻胶价值5亿美金的原因！

Inpria的MOR技术实际上是非常简单的，它是一个简单的有机配体包裹的金属氧化物纳米核。我们任何一个大学化学实验室都具有这样的合成能力。

MOR光刻胶结构示意图

然而为了导入2纳米EUV光刻工艺，Inpria需要配合半导体设备厂商、半导体晶圆厂进行长期的配方、工艺、设备优化研究，而这才是这项技术真正的壁垒。

接下来，我们再介绍另一种2纳米EUV光刻胶--干式抗蚀剂的测试！

MOR光刻胶反应釜