美国对中国半导体实施新出口限制的影响与挑战

文/王新喜

在美国商务部致函台积电，对运往中国的芯片实施出口限制之后，最新消息称，美国商会11月21日在给会员的电邮中说，美国最快将于下周对中国半导体实施新的出口限制措施，新规将把多达200家中国芯片企业列入出口黑名单，禁止美国多数供应商向这些企业出口商品，涉及范畴包括宽频记忆芯片以及与AI相关的产品。

200多家芯片企业几乎会囊括中国大部分与芯片设计、封装、制造相关领域的公司，恐怕大部分相关公司都难以幸免。之所以开始将宽频记忆芯片也纳入其中，是源于在今年8月，中国AI芯片重大突破——首款商用28nm记忆计算芯发布。这种创新芯片融合了记忆和计算能力，支持广泛的应用场景，包括智能穿戴设备、智能安防系统、具身智能、AI大模型以及健康数据分析等，展现了中国在AI芯片领域的技术进步和市场潜力。

现在到了真正要抛弃幻想的时候，等米下锅是没有出路的

这一波制裁，要实现国产替代，难题依然是在制造环节。芯片制造流程包括芯片设计、晶圆生产、封装和测试。在这三大流程中，我国在设计环节、封测环节的能力逐步形成，但在制造环节却处于落后的状态。

前一轮台积电芯片制裁，卡的就是中国芯片产业的制造生产环节，包括地平线的征程6系列芯片，黑芝麻智能的C1296、C1236芯片，芯擎科技的星辰一号、龙鹰一号芯片，紫光展锐的A7870芯片，小鹏自研的图灵AI芯片等，均为台积电代工生产。

台积电在7nm及以下工艺的芯片全球市场份额超过90%；在质量端，台积电的7nm、5nm、3nm等先进制程工艺在晶体管密度、良率等参数上均领先同行。

因此，台积电断供之后，现在又对200多家公司限制出口，意味着美国制裁的思路变了，不单单针对华为，而是针对整个中国的半导体产业，与芯片相关的主流企业一家不落全部限制生产制造能力，几乎不留漏网之鱼。

现在中国光刻机技术现在能达到的制程精度为65nm，套刻精度为≤8nm，目前中国光刻机技术主要用于28nm及以上的制程，而通过DUV光刻机，通过自对准四重图形化 （SAQP）技术实现7nm芯片的制造，但最大的短板与难题在于更高端的7nm以下的芯片制造。

国产替代要短板攻坚了

美国要限制咱们半导体，不是第一天两天，而是越卡越紧，这只能激发国产半导体替代的进展，长期来说是利好国产半导体，也提醒我们，这个产业需要联合起来攻关，力往一处使，不要再各自为战，要站在产业良性发展的思维，各自攻坚最擅长的部分，创建国内半导体生态系统。

这个生态系统的良性发展，要集中精力攻克生产制造上的短板问题，我们需要把这种制裁看成是国产替代的动力，国产替代很多已经可以替代了，只差最难的高精度芯片的生产制造环节与制造设备环节。

前段时间加拿大半导体拆解机构TechInsights就精准的指出了这个问题，他们认为，中国的国产光刻制造工具设备比“西方国家”的工具落后约 6 年的时间，但以长江存储、华为、中芯国际为首的中国公司在技术上面取得了领先地位。

半导体产业已经是国产替代最好的行业，美国一直都知道，要卡是卡不了，中国最终会突破，它做的是限制我们过快发展，其实我们一直在寻找自己的国内解决方案，以避免对其他西方公司的依赖。随着中国被阻止使用 ASML的 EUV 技术，相关企业在继续寻求替代选择，其中可能包括开发自己的 EUV 能力，或者可能依赖于 NIL 和 DSA 技术。

在近几年当中，中国公司在先进光刻技术领域提交的专利数量正在逐步攀升当中，包括纳米压印光刻 （NIL） 和直接自组装 （DSA） 光刻等，虽然专利的总数相当少，但是 EUV、DSA 和 NIL 这三个技术领域的专利活动呈持续上升趋势。

美国制裁一直特别关注工具，我们就要把重点攻坚方向放在工具上了，一旦工具层面突破，过不了几年美芯片企业就可能产品过剩，像现在的光伏组件一样，只能降价。

只不过，当下没米下锅的艰难状况，很多企业是需要直面的，现在有业内人士猜测，华为被制裁五年，是否会成为终极大赢家？200家企业都有谁？会不会新增手机厂商被列入名单？这些企业被制裁的企业，可能迎来最艰难的时刻，但一旦扛过去，发展起来，或最终将成为民族的骄傲和脊梁。

恐惧制裁是无法逃避制裁的，唯有放手一搏，才有机会。祖国复兴的道路异常艰难，身在半导体江湖的企业们，仍需努力！

作者：王新喜 TMT资深评论人 本文未经许可谢绝转载