英诺赛科黑科技赋能OPPO新款旗舰手机：强强联手引领行业革新！

10月24日，智能终端领域的领军者OPPO震撼发布了其最新的旗舰系列——Find X8与X8 pro。这两款手机以其超薄的直屏设计、卓越的影像性能、搭载的天玑9400处理器与潮汐引擎的超强配置，以及创新的冰川电池与极速充电技术，为用户带来了前所未有的操作体验与持久续航。

值得注意的是，OPPO此次在Find X8/X8 pro系列中融入了全球最大的氮化镓芯片制造品牌——英诺赛科的全链路氮化镓（AllGaN）技术。这一技术不仅应用于手机的快速充电系统（包括80W超级闪充与50W无线充），还深入至手机内部主板的充电过压保护（OVP），全方位展现了氮化镓材料的高效与先进。

英诺赛科作为全球功率半导体革命的领导者，凭借IDM全产业链商业模式，成功实现了全球领先的8英寸氮化镓量产工艺，被誉为氮化镓行业的独角兽。据英诺赛科公开的上市申请文件显示，公司在氮化镓领域拥有近700项专利及专利申请，产品研发范围广泛，覆盖15V至1200V，提供从晶圆、分立器件、IC到模组的全方位解决方案。

在OPPO Find X8/X8 pro系列中，英诺赛科的40V双向导通芯片VGaN发挥了关键作用。这款芯片在手机主板充电过压保护和50W无线充产品中，以一颗芯片替代了两颗传统的Si MOS，大大节省了内部空间，使得手机设计更为轻薄。同时，VGaN的双向导通或关断特性，为手机充电过程中的电池提供了主动保护，显著增强了安全性和使用寿命。

而在充电侧，英诺赛科的高压GaN芯片则以其低阻抗、强散热与高效率的特点，为80W超级闪充提供了强大支持。与OPPO此前标配的80W适配器相比，采用英诺赛科高压GaN的适配器体积减小了约18%，更加便于用户随身携带。

OPPO与英诺赛科的深度合作，不仅体现了OPPO对创新技术和产品性能的坚定信念，也彰显了英诺赛科在氮化镓领域的卓越实力。据了解，OPPO已有多个系列产品，如Find X7/X8/Ultra、Realme GT系列、一加Ace系列以及50W至150W快充产品，均采用了英诺赛科的AllGaN技术，实现了产品性能与市场竞争力的双重飞跃。

氮化镓材料以其高频、高电子迁移率、强抗辐射能力及低导通电阻等特性，正逐步重塑功率半导体行业的格局。据权威机构预测，从2023年至2028年，全球氮化镓功率半导体市场规模将实现指数级增长，复合年增长率高达98.5%。而英诺赛科凭借其前瞻性的战略布局、IDM模式以及持续的技术投入，正牢牢占据这一优势赛道。